| 品番 | TPH3208LSG |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 130 mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.6V @ 300µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 42nC @ 8V |
| Vgs（最大） | ±18V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 760pF @ 400V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 96W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 3-PQFN (8x8) |
| パッケージ/ケース | 3-PowerDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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