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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TPH3202LD
TPH3202LD

TPH3202LD - Transphorm

品番
TPH3202LD
メーカー
Transphorm
簡単な説明
GAN FET 600V 9A PQFN88
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TPH3202LD PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
250 pcs
参考価格
USD 11.11/pcs
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TPH3202LD 詳細な説明

品番 TPH3202LD
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 8V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 9.3nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 760pF @ 480V
Vgs（最大） ±18V
FET機能 -
消費電力（最大） 65W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 350 mOhm @ 5.5A, 8V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PQFN (8x8)
パッケージ/ケース 4-PowerDFN
重量 -
原産国 -

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