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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TPH3205WSB
TPH3205WSB

TPH3205WSB - Transphorm

品番
TPH3205WSB
メーカー
Transphorm
簡単な説明
GAN FET 650V 36A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TPH3205WSB PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1405 pcs
参考価格
USD 23.01/pcs
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TPH3205WSB 詳細な説明

品番 TPH3205WSB
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 36A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 8V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.6V @ 700µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 42nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2200pF @ 400V
Vgs（最大） ±18V
FET機能 -
消費電力（最大） 125W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 60 mOhm @ 22A, 8V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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