TPH3205WSB - Transphorm

Numéro d'article	TPH3205WSB
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 400V
Vgs (Max)	±18V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 22A, 8V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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