TPH3205WSB - Transphorm

Artikelnummer	TPH3205WSB
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 700µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 400V
Vgs (Max)	±18V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 22A, 8V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TPH3202LD	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	Einzelheiten
TPH3202LS	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	Einzelheiten
TPH3202PD	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	Einzelheiten
TPH3202PS	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	Einzelheiten
TPH3205WSB	Transphorm	GAN FET 650V 36A TO247	Einzelheiten
TPH3205WSBQA	Transphorm	GAN FET 650V 35A TO247	Einzelheiten
TPH3206LD	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	Einzelheiten
TPH3206LDB	Transphorm	MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN	Einzelheiten
TPH3206LDGB	Transphorm	GAN FET 650V 16A PQFN88	Einzelheiten
TPH3206LS	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	Einzelheiten