TPH3206LDB detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TPH3206LDB |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
8V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.6V @ 500µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
6.2nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
720pF @ 480V |
Vgs (Max) |
±18V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
81W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
180 mOhm @ 10A, 8V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PQFN (8x8) |
Paket / Fall |
4-PowerDFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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