TPH3206LDB - Transphorm

номер части	TPH3206LDB
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	720pF @ 480V
Vgs (Макс.)	±18V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	81W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 10A, 8V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PQFN (8x8)
Упаковка / чехол	4-PowerDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TPH3202LD	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	подробности
TPH3202LS	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	подробности
TPH3202PD	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	подробности
TPH3202PS	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	подробности
TPH3205WSB	Transphorm	GAN FET 650V 36A TO247	подробности
TPH3205WSBQA	Transphorm	GAN FET 650V 35A TO247	подробности
TPH3206LD	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	подробности
TPH3206LDB	Transphorm	MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN	подробности
TPH3206LDGB	Transphorm	GAN FET 650V 16A PQFN88	подробности
TPH3206LS	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	подробности