TPH3205WSBQA - Transphorm

номер части	TPH3205WSBQA
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 700µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	42nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2200pF @ 400V
Vgs (Макс.)	±18V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 22A, 8V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TPH3202LD	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	подробности
TPH3202LS	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	подробности
TPH3202PD	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	подробности
TPH3202PS	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	подробности
TPH3205WSB	Transphorm	GAN FET 650V 36A TO247	подробности
TPH3205WSBQA	Transphorm	GAN FET 650V 35A TO247	подробности
TPH3206LD	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	подробности
TPH3206LDB	Transphorm	MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN	подробности
TPH3206LDGB	Transphorm	GAN FET 650V 16A PQFN88	подробности
TPH3206LS	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	подробности