TPH3205WSBQA - Transphorm

Numero di parte	TPH3205WSBQA
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 400V
Vgs (massimo)	±18V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	62 mOhm @ 22A, 8V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TPH3202LD	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	Dettagli
TPH3202LS	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	Dettagli
TPH3202PD	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	Dettagli
TPH3202PS	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	Dettagli
TPH3205WSB	Transphorm	GAN FET 650V 36A TO247	Dettagli
TPH3205WSBQA	Transphorm	GAN FET 650V 35A TO247	Dettagli
TPH3206LD	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	Dettagli
TPH3206LDB	Transphorm	MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN	Dettagli
TPH3206LDGB	Transphorm	GAN FET 650V 16A PQFN88	Dettagli
TPH3206LS	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	Dettagli