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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TPH3205WSBQA
TPH3205WSBQA

TPH3205WSBQA - Transphorm

品番
TPH3205WSBQA
メーカー
Transphorm
簡単な説明
GAN FET 650V 35A TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TPH3205WSBQA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2692 pcs
参考価格
USD 25.32/pcs
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TPH3205WSBQA 詳細な説明

品番 TPH3205WSBQA
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 35A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） -
Vgs（th）（Max）@ Id 2.6V @ 700µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 42nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2200pF @ 400V
Vgs（最大） ±18V
FET機能 -
消費電力（最大） 125W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 62 mOhm @ 22A, 8V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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