品番 | TPH3206LDGB |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 650V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 8V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.6V @ 500µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 760pF @ 480V |
Vgs(最大) | ±18V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 81W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 180 mOhm @ 11A, 8V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (8x8) |
パッケージ/ケース | 3-PowerDFN |
重量 | - |
原産国 | - |