| Artikelnummer | TPH3208LSG |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 400V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 96W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 3-PQFN (8x8) |
| Paket / Fall | 3-PowerDFN |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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TPH3202LD | Transphorm | GAN FET 600V 9A PQFN88 | Einzelheiten |
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