TPH3208LSG - Transphorm

номер части	TPH3208LSG
Статус детали	Not For New Designs
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	42nC @ 8V
Vgs (Макс.)	±18V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	760pF @ 400V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	96W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	3-PQFN (8x8)
Упаковка / чехол	3-PowerDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TPH3202LD	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	подробности
TPH3202LS	Transphorm	GAN FET 600V 9A PQFN88	подробности
TPH3202PD	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	подробности
TPH3202PS	Transphorm	GAN FET 600V 9A TO220	подробности
TPH3205WSB	Transphorm	GAN FET 650V 36A TO247	подробности
TPH3205WSBQA	Transphorm	GAN FET 650V 35A TO247	подробности
TPH3206LD	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	подробности
TPH3206LDB	Transphorm	MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN	подробности
TPH3206LDGB	Transphorm	GAN FET 650V 16A PQFN88	подробности
TPH3206LS	Transphorm	GAN FET 600V 17A PQFN88	подробности