GB0800004 - Diodes Incorporated

Numero di parte	GB0800004
Stato parte	Active
genere	MHz Crystal
Frequenza	8MHz
Stabilità di frequenza	±30ppm
Tolleranza di frequenza	±30ppm
Capacità di carico	30pF
ESR (Equivalent Series Resistance)	80 Ohm
Modalità operativa	Fundamental
temperatura di esercizio	-10°C ~ 70°C
Giudizi	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	HC49/US
Dimensione / Dimensione	0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Altezza - Seduto (max)	0.138" (3.50mm)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GB01010EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	Dettagli
GB01020EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	Dettagli
GB015Z101MA6N	AVX Corporation	CAP CER 100PF 50V X7R SMD	Dettagli
GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	Dettagli
GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	Dettagli
GB01SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC	Dettagli
GB01SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252	Dettagli
GB02505EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	Dettagli
GB02SHT01-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 100V 4A	Dettagli
GB02SHT03-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 300V 4A	Dettagli