GB02SHT01-46

GB02SHT01-46 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
GB02SHT01-46
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
DIODE SCHOTTKY 100V 4A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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GB02SHT01-46 Descrizione dettagliata

Numero di parte GB02SHT01-46
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Rettificato medio (Io) 4A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 1A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore TO-46
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 225°C
Peso -
Paese d'origine -

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