GB02SLT12-220

GB02SLT12-220 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
GB02SLT12-220
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Codice data
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Prezzo di riferimento
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GB02SLT12-220 Descrizione dettagliata

Numero di parte GB02SLT12-220
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Rettificato medio (Io) 2A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 2A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F 138pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Peso -
Paese d'origine -

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