GB02SLT12-214 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GB02SLT12-214
Stato parte	Active
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	2A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 1A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	50µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F	131pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AA
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GB02SHT01-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 100V 4A	Dettagli
GB02SHT03-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 300V 4A	Dettagli
GB02SHT06-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 600V 4A	Dettagli
GB02SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A	Dettagli
GB02SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA	Dettagli
GB02SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC	Dettagli
GB02SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252	Dettagli