GB02SLT12-214 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GB02SLT12-214
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	2A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 1A
Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	50µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F	131pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	DO-214AA, SMB
Lieferantengerätepaket	DO-214AA
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GB02SHT01-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 100V 4A	Einzelheiten
GB02SHT03-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 300V 4A	Einzelheiten
GB02SHT06-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 600V 4A	Einzelheiten
GB02SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A	Einzelheiten
GB02SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA	Einzelheiten
GB02SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC	Einzelheiten
GB02SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252	Einzelheiten