| Artikelnummer | GB02SHT03-46 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 4A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 0ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 300V |
| Kapazität @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-46 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 225°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
GB02505EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Einzelheiten |
 |
GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | Einzelheiten |
|
GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | Einzelheiten |
 |
GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | Einzelheiten |
 |
GB02SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A | Einzelheiten |
 |
GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | Einzelheiten |
 |
GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC | Einzelheiten |
 |
GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252 | Einzelheiten |
