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GB02SHT03-46

GB02SHT03-46 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
GB02SHT03-46
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE SCHOTTKY 300V 4A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
GB02SHT03-46 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
GB02SHT03-46.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
440 pcs
Prix ​​de référence
USD 51.6/pcs
Notre prix
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GB02SHT03-46 Description détaillée

Numéro d'article GB02SHT03-46
État de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 300V
Courant - Rectifié moyen (Io) 4A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.6V @ 1A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 5µA @ 300V
Capacitance @ Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-46
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 225°C
Poids -
Pays d'origine -

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