GB02SLT12-252 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GB02SLT12-252
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	5A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.8V @ 2A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	50µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F	131pF @ 1V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur	TO-252
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GB02SHT01-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 100V 4A	Détails
GB02SHT03-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 300V 4A	Détails
GB02SHT06-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 600V 4A	Détails
GB02SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A	Détails
GB02SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA	Détails
GB02SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC	Détails
GB02SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252	Détails