GB02SHT03-46 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GB02SHT03-46
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	300V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	4A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.6V @ 1A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	5µA @ 300V
Емкость @ Vr, F	76pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика	TO-46
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 225°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB02505EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	подробности
GB02SHT01-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 100V 4A	подробности
GB02SHT03-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 300V 4A	подробности
GB02SHT06-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 600V 4A	подробности
GB02SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A	подробности
GB02SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA	подробности
GB02SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC	подробности
GB02SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252	подробности