| номер части | GB02SHT06-46 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Silicon Carbide Schottky |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 4A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.6V @ 1A |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 600V |
| Емкость @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| Пакет устройств поставщика | TO-46 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 225°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
GB02505EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | подробности |
 |
GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | подробности |
 |
GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | подробности |
|
GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | подробности |
 |
GB02SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A | подробности |
 |
GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | подробности |
 |
GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC | подробности |
 |
GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252 | подробности |
