| 品番 | GB02SHT06-46 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 600V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 4A (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1.6V @ 1A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 5µA @ 600V |
| 容量Vr、F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-46 |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 225°C |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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GB02505EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | 詳細 |
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GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | 詳細 |
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GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | 詳細 |
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GB02SHT06-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 600V 4A | 詳細 |
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GB02SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A | 詳細 |
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GB02SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA | 詳細 |
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GB02SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC | 詳細 |
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GB02SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252 | 詳細 |
