GB02SLT12-214 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GB02SLT12-214
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	2A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.8V @ 1A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	50µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F	131pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	DO-214AA, SMB
Пакет устройств поставщика	DO-214AA
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB02SHT01-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 100V 4A	подробности
GB02SHT03-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 300V 4A	подробности
GB02SHT06-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 600V 4A	подробности
GB02SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A	подробности
GB02SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA	подробности
GB02SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC	подробности
GB02SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252	подробности