GB01SLT06-214 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GB01SLT06-214
Stato parte	Active
Tipo diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	650V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2V @ 1A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 6.5V
Capacità @ Vr, F	76pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AA
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	Dettagli
GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	Dettagli
GB01SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC	Dettagli
GB01SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252	Dettagli