• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › GB01SLT12-214
GB01SLT12-214

GB01SLT12-214 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
GB01SLT12-214
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
GB01SLT12-214 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
GB01SLT12-214.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
11892 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.2005/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per GB01SLT12-214

GB01SLT12-214 Descrizione dettagliata

Numero di parte GB01SLT12-214
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Rettificato medio (Io) 2.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 1A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F 69pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitore SMB (DO-214AA)
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 175°C
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER GB01SLT12-214

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA Dettagli
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A Dettagli
GB01SLT12-220 GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC Dettagli
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 Dettagli