GB01SLT12-214 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GB01SLT12-214
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	2.5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.8V @ 1A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F	69pF @ 1V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AA, SMB
Package de périphérique fournisseur	SMB (DO-214AA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	Détails
GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	Détails
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