GB01SLT12-220 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GB01SLT12-220
État de la pièce	Active
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.8V @ 1A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	2µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F	69pF @ 1V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-220-2
Package de périphérique fournisseur	TO-220AC
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	Détails
GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	Détails
GB01SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC	Détails
GB01SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252	Détails