GB01SLT12-220 - GeneSiC Semiconductor

номер части	GB01SLT12-220
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.8V @ 1A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	2µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F	69pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-220-2
Пакет устройств поставщика	TO-220AC
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	подробности
GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	подробности
GB01SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC	подробности
GB01SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252	подробности