GB01SLT12-220 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GB01SLT12-220
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.8V @ 1A
Geschwindigkeit	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	2µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F	69pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-2
Lieferantengerätepaket	TO-220AC
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 175°C
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	Einzelheiten
GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	Einzelheiten
GB01SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC	Einzelheiten
GB01SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252	Einzelheiten