GB0800004 - Diodes Incorporated

номер части	GB0800004
Статус детали	Active
Тип	MHz Crystal
частота	8MHz
Стабильность частоты	±30ppm
Допуск частоты	±30ppm
Емкость нагрузки	30pF
ESR (Сопротивление эквивалентной серии)	80 Ohm
Рабочий режим	Fundamental
Рабочая Температура	-10°C ~ 70°C
Рейтинги	-
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	HC49/US
Размер / размер	0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Высота - сидя (макс.)	0.138" (3.50mm)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB01010EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	подробности
GB01020EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	подробности
GB015Z101MA6N	AVX Corporation	CAP CER 100PF 50V X7R SMD	подробности
GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	подробности
GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	подробности
GB01SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC	подробности
GB01SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252	подробности
GB02505EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	подробности
GB02SHT01-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 100V 4A	подробности
GB02SHT03-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 300V 4A	подробности