GB0800004 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	GB0800004
Teilstatus	Active
Art	MHz Crystal
Frequenz	8MHz
Frequenzstabilität	±30ppm
Frequenztoleranz	±30ppm
Ladekapazität	30pF
ESR (Ersatzserienwiderstand)	80 Ohm
Betriebsart	Fundamental
Betriebstemperatur	-10°C ~ 70°C
Bewertungen	-
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	HC49/US
Größe / Dimension	0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Höhe - Sitzend (Max)	0.138" (3.50mm)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GB01010EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	Einzelheiten
GB01020EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	Einzelheiten
GB015Z101MA6N	AVX Corporation	CAP CER 100PF 50V X7R SMD	Einzelheiten
GB01SLT06-214	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA	Einzelheiten
GB01SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A	Einzelheiten
GB01SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC	Einzelheiten
GB01SLT12-252	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252	Einzelheiten
GB02505EPL	EXSHINE	A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS	Einzelheiten
GB02SHT01-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 100V 4A	Einzelheiten
GB02SHT03-46	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 300V 4A	Einzelheiten