• 대한민국
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
집 › 제품 카테고리 › 수정, 발진기, 공진기 › 수정 › GB0800004
GB0800004

GB0800004 - Diodes Incorporated

부품 번호
GB0800004
제조사
Diodes Incorporated
간단한 설명
CRYSTAL 8.0000MHZ 30PF TH
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
GB0800004 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
GB0800004.pdf
범주
수정
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
2137 pcs
참고 가격
USD 0.51/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 GB0800004

GB0800004 상세 설명

부품 번호 GB0800004
부품 상태 Active
유형 MHz Crystal
회수 8MHz
주파수 안정성 ±30ppm
주파수 허용 오차 ±30ppm
부하 용량 30pF
ESR (등가 직렬 저항) 80 Ohm
작동 모드 Fundamental
작동 온도 -10°C ~ 70°C
평점 -
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 HC49/US
크기 / 치수 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
높이 장착 - 최대 (최대) 0.138" (3.50mm)
무게 -
원산지 -

관련 제품 GB0800004

영상 부품 번호 제조사 기술 전망
GB01010EPL GB01010EPL EXSHINE A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS 세부
GB01020EPL GB01020EPL EXSHINE A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS 세부
GB015Z101MA6N GB015Z101MA6N AVX Corporation CAP CER 100PF 50V X7R SMD 세부
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA 세부
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A 세부
GB01SLT12-220 GB01SLT12-220 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC 세부
GB01SLT12-252 GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 세부
GB02505EPL GB02505EPL EXSHINE A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS 세부
GB02SHT01-46 GB02SHT01-46 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 100V 4A 세부
GB02SHT03-46 GB02SHT03-46 GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 300V 4A 세부