| Numéro d'article | GB0800004 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | MHz Crystal |
| La fréquence | 8MHz |
| Stabilité de fréquence | ±30ppm |
| Tolérance de fréquence | ±30ppm |
| Capacité de charge | 30pF |
| ESR (résistance série équivalente) | 80 Ohm |
| Mode de fonctionnement | Fundamental |
| Température de fonctionnement | -10°C ~ 70°C |
| Évaluations | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | HC49/US |
| Taille / Dimension | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.138" (3.50mm) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
GB01010EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Détails |
|
GB01020EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Détails |
 |
GB015Z101MA6N | AVX Corporation | CAP CER 100PF 50V X7R SMD | Détails |
 |
GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA | Détails |
|
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 1A | Détails |
 |
GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC | Détails |
 |
GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | Détails |
|
GB02505EPL | EXSHINE | A SERIES OF SPECTRAL - RESPONSE SILICON PHOTOCELLS DESIGNED FOR UNIQUE PRODUCT APPLICATIONS | Détails |
 |
GB02SHT01-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 100V 4A | Détails |
 |
GB02SHT03-46 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 300V 4A | Détails |
