IXTA08N100D2HV - IXYS

Numéro d'article	IXTA08N100D2HV
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	800mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.6nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
FET Caractéristique	Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263HV
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Détails
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Détails
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IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
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