IXTA02N250

IXTA02N250 - IXYS

Numéro d'article
IXTA02N250
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXTA02N250 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3516 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXTA02N250

IXTA02N250 Description détaillée

Numéro d'article IXTA02N250
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 2500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 200mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 116pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 Ohm @ 50mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263 (IXTA)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXTA02N250