IXTA05N100 - IXYS

Numéro d'article	IXTA05N100
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	750mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 Ohm @ 375mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263 (IXTA)
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Détails
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Détails
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	Détails
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	Détails
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	Détails
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	Détails
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IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
IXTA08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263	Détails
IXTA08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263	Détails