IXTA05N100

IXTA05N100 - IXYS

Artikelnummer
IXTA05N100
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
72 pcs
Referenzpreis
USD 2.56/pcs
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IXTA05N100 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTA05N100
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 750mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 40W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17 Ohm @ 375mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (IXTA)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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