IXTA08N100D2

IXTA08N100D2 - IXYS

Numéro d'article
IXTA08N100D2
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
267 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.05/pcs
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IXTA08N100D2 Description détaillée

Numéro d'article IXTA08N100D2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 400mA, 0V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263 (IXTA)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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