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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXTA08N100D2
IXTA08N100D2

IXTA08N100D2 - IXYS

Número de pieza
IXTA08N100D2
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IXTA08N100D2 Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
267 pcs
Precio de referencia
USD 2.05/pcs
Nuestro precio
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IXTA08N100D2 Descripción detallada

Número de pieza IXTA08N100D2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 800mA (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 400mA, 0V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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