IXTA08N100D2HV - IXYS

Número de pieza: IXTA08N100D2HV
Fabricante: IXYS
Breve descripción: MOSFET N-CH
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 2.25/pcs
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Número de pieza	IXTA08N100D2HV
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	800mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14.6nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Característica FET	Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx)	60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263HV
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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