IXTA08N100D2HV - IXYS

номер части	IXTA08N100D2HV
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	800mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	14.6nC @ 5V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	325pF @ 25V
Функция FET	Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)	60W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263HV
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	подробности
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	подробности
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	подробности
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	подробности
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	подробности
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	подробности
IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	подробности
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	подробности
IXTA08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263	подробности
IXTA08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263	подробности