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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTA08N100D2HV
IXTA08N100D2HV

IXTA08N100D2HV - IXYS

品番
IXTA08N100D2HV
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTA08N100D2HV PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
73177 pcs
参考価格
USD 2.25/pcs
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IXTA08N100D2HV 詳細な説明

品番 IXTA08N100D2HV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 800mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 25µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 14.6nC @ 5V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 325pF @ 25V
FET機能 Depletion Mode
消費電力（最大） 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263HV
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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