IXTA08N100D2HV - IXYS

Numero di parte	IXTA08N100D2HV
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14.6nC @ 5V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	325pF @ 25V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263HV
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Dettagli
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Dettagli
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	Dettagli
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	Dettagli
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	Dettagli
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	Dettagli
IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	Dettagli
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXTA08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263	Dettagli
IXTA08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263	Dettagli