IXTA05N100HV - IXYS

Número de pieza	IXTA05N100HV
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	750mA (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 Ohm @ 375mA, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IXTA02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Detalles
IXTA02N250HV	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263	Detalles
IXTA02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263	Detalles
IXTA05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263	Detalles
IXTA05N100HV	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263	Detalles
IXTA06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263	Detalles
IXTA08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK	Detalles
IXTA08N100D2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Detalles
IXTA08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263	Detalles
IXTA08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263	Detalles