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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXTA02N250
IXTA02N250

IXTA02N250 - IXYS

Número de pieza
IXTA02N250
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4112 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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IXTA02N250 Descripción detallada

Número de pieza IXTA02N250
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 2500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 200mA (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 116pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 Ohm @ 50mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263 (IXTA)
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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