| Artikelnummer | TH58BYG2S3HBAI6 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | EEPROM |
| Technologie | EEPROM - NAND |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
| Zugriffszeit | 25ns |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 67-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE | Einzelheiten |
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TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | Einzelheiten |
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TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | Einzelheiten |
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TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP | Einzelheiten |
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TH58BVG3S0HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE | Einzelheiten |
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TH58BYG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | 4G SLC NAND BGA 24NM | Einzelheiten |
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TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA | Einzelheiten |
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TH58BYG3S0HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V | Einzelheiten |
