TH58BYG2S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TH58BYG2S3HBAI6
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	EEPROM
Technologie	EEPROM - NAND
Speichergröße	4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	25ns
Zugriffszeit	25ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	1.7 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	67-VFBGA
Lieferantengerätepaket	67-VFBGA (6.5x8)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE	Einzelheiten
TH58BVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Einzelheiten
TH58BVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Einzelheiten
TH58BVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	Einzelheiten
TH58BVG3S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE	Einzelheiten
TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4G SLC NAND BGA 24NM	Einzelheiten
TH58BYG2S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA	Einzelheiten
TH58BYG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V	Einzelheiten