TH58BYG2S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TH58BYG2S3HBAI6
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 240 pcs
Precio de referencia: USD 5.36/pcs
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Número de pieza	TH58BYG2S3HBAI6
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Non-Volatile
Formato de memoria	EEPROM
Tecnología	EEPROM - NAND
Tamaño de la memoria	4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj	-
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	25ns
Tiempo de acceso	25ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7 V ~ 1.95 V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	67-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	67-VFBGA (6.5x8)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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