TH58BYG2S3HBAI6 - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TH58BYG2S3HBAI6
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	EEPROM
Технологии	EEPROM - NAND
Размер памяти	4Gb (512M x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	25ns
Время доступа	25ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.7 V ~ 1.95 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	67-VFBGA
Пакет устройств поставщика	67-VFBGA (6.5x8)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TH58BVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE	подробности
TH58BVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TH58BVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TH58BVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP	подробности
TH58BVG3S0HTAI0	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE	подробности
TH58BYG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4G SLC NAND BGA 24NM	подробности
TH58BYG2S3HBAI6	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA	подробности
TH58BYG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V	подробности